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下表表示恒压驱动电路在低速时，对单极与双极驱动工作效率的比较。电流与线圈匝数之积称为安匝，与转矩成正比，两者如转速相同，输出功率也与其有比例关系。由于低速时，电抗小，电抗如果忽略不计，V/R即为电流，与N之积VN/R变成安匝数。同样，双极电流为V/2R，匝数也为2N，此积与单极情形相同为VN/R。输入恒压驱动的情形，双极与单极比较，如下表所示，电流只有单极的1/2，低速时的效率为单极的2倍。小型化或低速时，要产生大转矩的情况，应使用双极式驱动，但驱动电路复杂。明确了这一点对这一问题可能容易理解。单片机中的高阻态在51单片机，没有连接上拉电阻的P0口相比有上拉电阻的P1口在I/O口引脚和电源之间相连是通过一对推挽状态的FET来实现的，51具体结构如下图。组成推挽结构，从理论上讲是可以通过调配管子的参数轻松实现输出大电流，提高带载能力，两个管子根据通断状态有四种不同的组合，上下管导通相当于把电源短路了，这种情况下在实际电路中不能出现。从逻辑电路上来讲，上管-下管关时IO与VCC直接相连，IO输出低电平0,这种结构下如果没有外接上拉电阻，输出0就是漏状态（低阻态），因为I/O引脚是通过一个管子接地的，并不是使用导线直接连接，而一般的MOS在导通状态也会有mΩ极的导通电阻。当定子电流由正变负时，在切换过程中，电流接近于零，定子对转子的吸引力接近零，此时转子磁通产生的转矩为主，，转子的磁通要走气隙的路径，故转子在磁通力矩的作用下，沿箭头方向运动到转子磁极轴线（N和S极的中心线）正对气隙处停止。当定子绕组为负电流时，，定子磁极的极性反转，转子磁极受到定子N和S极的斥力和引力作用，沿箭头方向运动，直到定转子磁极轴线重合时转子停止运动。加在绕组上的电流再次变换方向由负变正时，电流过零变正，则转子经过图向图，步距角为180°。到这里就很清楚了，无论是低阻态还是高阻态都是相对来说的，把下管子置于截止状态就可以把GND和I/O口隔离达到路的状态，这时候推挽一对管子是截止状态，忽略读取逻辑的话I/O口引脚相当于与单片机内部电路路，考虑到实际MOS截止时会有少许漏电流，就称作“高阻态”。由于管子PN节带来的结电容的影响，有的也会称作“浮空”，通过I/O口给电容充电需要一定的时间，那么IO引脚处的对地的真实电压和水面浮标随波飘动类似了，电压的大小不仅与外界输入有关还和时间有关，在高频情况下这种现象是不能忽略的。