裸电线及裸导品本类产品的主要特征是：纯的导体金属，无绝缘及护套层，如钢芯铝绞线、铜铝汇流排、电力机车线等；工艺主要是压力，如熔炼、压延、拉制、绞合/紧压绞合等；产品主要用在城郊、农村、用户主线、关柜等。

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设以1ma作为光耦的导通电流，那么在220v交流电由0V变化到141V的过程需要1.5ms。而因为期间的一致性问题，部分光耦可能会在0.5ma的时候就导通，部分可能在0.7ma的时候导通。现设一致性带来的导通电流为0.5ma，那么对应导通电压为71V，对应滞后零点时间为736us，这表明，不同光耦之间零点差异可能达到764us。(实际测试中我检测了10个样品，其中两个光耦导通性能差别的时间差达到50us，其他普遍在10us左右)。要求1)发热和散热能力决定变频器的输出电流能力，从而影响变频器的输出转矩能力。2)载波频率:一般变频器所标的额定电流都是以载波频率，环境温度下能保证持续输出的数值。降低载波频率，电机的电流不会受到影响。但元器件的发热会减小。3)环境温度:就象不会因为检测到周围温度比较低时就增大变频器保护电流值。4)海拔高度:海拔高度增加，对散热和绝缘性能都有影响.一般1000m以下可以不考虑。以上每1000米降容5%就可以了。电力电容器按方式可分为户内式和户外式两种；按其运行的额定电压可分为低压和高压两类；按其相数可分为单相和三相两种，除低压并联电容器外，其余均为单相；按外壳材料可分为金属外壳、瓷绝缘外壳、胶木筒外壳等。按用途又可分为以下8种：并联电容器。原称移相电容器。主要用于补偿电力系统感性负荷的无功功率，以提高功率因数，改善电压质量，降低线路损耗。串联电容器。串联于工频高压输、配电线路中，用以补偿线路的分布感抗，提高系统的静、动态稳定性，改善线路的电压质量，加长送电距离和增大输送能力。看到一张网上的图描述触点的接通时间的过程分析的，非常不错，先放在这里。我们知道其实继电器的触点保护要比Mosfet更加残酷，一般继电器的负载要比Mosfet大很多。常见的直流大的负荷直流电动机，直流离合器和直流电磁阀，这些感性负载关关闭，数百甚至几千伏的反电动势造成的浪涌会把触点寿命降低甚至损坏。当然如果电流较小，比如在1A附近的时候，反电动势会造成电弧放电，放电会导致金属氧化物污染触点，导致触点失效，接触电阻变大。正接时候，R1VGS电压，MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通，所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds（on）只有20mΩ实际损耗很小，3A的电流，功耗为（3×3)×0.02=0.18W根本不用外加散热片。解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。VZ1为稳压管防止栅源电压过高击穿mos管。P沟道MOS管防反接保护电路电路如示因为NMOS管的导通电阻比PMOS的小且价格相对更便宜，选NMOS。