打火机比如，咱们平使用的打火机，点火装置产生的电压接近1万伏，电压这么高，却电不死人，就是因为没有足够的电流。打火机打火装置电流对人体有两种类型的伤害，即电击和电伤。电击是指电流通过人体内部，破坏人的、肺部及神经系统的正常工作，及致使人处于死或丧失生命。电伤是指电流的热效应、化学效应或机械效应对人体造成的伤害。通常所说的触电事故基本上都是指电击而言的。零基础和初学电工的朋友可以观看我的专栏系列教学《土电工手把手带你电工入门》，实物演练模式，直观易懂。

废旧电缆利用方法
1.手工剥皮法：该法采用人工进行剥皮，效率低、成本高，而且工人的操作环境较差；
2.焚烧法：焚烧法是一种传统的方法，使废线缆的塑料皮燃烧，然后其中的铜，但产生的烟气污染极为严重，同时 ，在焚烧过程中铜线的表面严重氧化，降低了金属率，该法已经被各国严格禁止；
3.机械剥皮法：采用线缆剥皮机进行，该法仍需要人工操作，属半机械化，劳动强度大，效率低，而且只适用粗径线缆；
4.化学法：化学法废线缆技术是在上个世纪90年代提出的，一些 曾进行研究，我国在“八五”期间也进行过研究。该法有一个的缺点是产生的废液无法，对环境有较大的影响，故很少采用；
5.冷冻法：该法也是上个世纪九十年代提出的，采用液氮制冷剂，使废线缆在极低的温度下变脆，然后经过破碎和震动，使塑料皮与铜线段分离，我国在“八五”期间也曾经立项研究，但此法的缺点是成本高，难以进行工业化的生产

山东泰安（ /动态）积压电缆废电缆
废旧电线电缆分类： 1、常用的电附件：电缆终端接线盒、废旧电线电缆法连接管及接线端子、电缆中间接线盒、钢板接线槽、电缆桥架等。? 2、电缆桥架：一般工矿企业室内外架空敷设电力电缆、废旧电线电缆法控制电缆、亦可用于、广播电视等部门在室内外架设。? 3、按用途可分为：裸导线、绝缘电线、耐热电线、电力电缆、控制电缆、废旧电线电缆法屏蔽电线、通信电缆、射频电缆等。? 4、电缆中间接头：连接电缆与电缆的导体、绝缘屏蔽层和保护层，以使电缆线路连接的装置，废旧电线电缆法称为电缆中间接头。

显然，过程映像区并不能涵盖整个CPU的输入/输出地址区域。当我们要访问的I/O地址超出了过程映像区的范围，就必须使用外设寻址了。CPU315-2DP的技术数据（节选）对于400的CPU而言，以CPU-4162DP为例（如所示），输入/输出均16KB，过程映像区默认为512个字节，但可调整为16KB。当访问地址超出了默认的过程映像区范围时，我们就要以下选择了：或者修改过程映像区的大小或者采用外设寻址CPU416-2DP的技术数据（节选）输入/输出模块地址未分配给过程映像区特别是对于S7-400系列CPU而言，要想使用过程映像区，需给输入/输出模块地址分配过程映像，OB1- 0进阶笔记2：过程映像区的分类及其更新机制》一文）。在PLC程序内部要对相应的信号进行比较、运算时，常需将该信号转换成实际物理值，这样这个数值才具有实际意义。相反，我们要控制一些执行机构（如比例阀，电动阀等）需要将控制值转换成与实际工程量对应的整形数，再经模拟量输出模板转换成电压、电流信号去控制现场执行机构。要完成输入、输出模拟量转换，就需要在程序中调用功能块完成量程转换。一个压力调节回路中，压力变送器输出4-20mADC信号到SM331模拟量输入模板 形数，然后在程序中要调用FC105将该值转换成0-10.0（MPa）的工程量（实数），经PID运算后得到的结果仍为实数，要用FC106转换为对应 2模拟量输出模板输出4-20mADC信号到调节阀的执行机构。我个项目是厂里的三菱plc编程的是几台刨片机，把木头削成木片的机器，用来刨花板，我自己用三菱的编程器，现在纸上画出了梯形图在用语句表一句一句的输进plc，当时可真有毅力，有时候错了基本都不用画图直接看语句表就能看出是哪出错了，经过三天左右的工作，程序好了，然后又始编程其他的三菱plc其中有一个好像是一百多点的plc。这几趟下来我对三菱的plc了解很多，感觉很方便，尤其是指令，非常的好用。严格来讲，编码器只会告诉你改如何，要如何执行，是需要靠数控系统（或者plc之类控制器）控制伺服或者步进电机来实现的，编码器好比人的眼睛，知道电机轴或者负载处于当前某个位置，工业上用的一般是光电类型编码器，下边简单说明一下。简单说下编码原理和位置测量光电编码器是在一个很薄很轻的圆盘子上，通过紧密仪器来腐蚀雕刻了很多条细小的缝，相当于把一个360度，细分成很多等分，比如成1024组，这样每组 25度。设以1ma作为光耦的导通电流，那么在220v交流电由0V变化到141V的过程需要1.5ms。而因为期间的一致性问题，部分光耦可能会在0.5ma的时候就导通，部分可能在0.7ma的时候导通。现设一致性带来的导通电流为0.5ma，那么对应导通电压为71V，对应滞后零点时间为736us，这表明，不同光耦之间零点差异可能达到764us。(实际测试中我检测了10个样品，其中两个光耦导通性能差别的时间差达到50us，其他普遍在10us左右)。